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Equipment

특징
본 장비는 다이오드 레이저를 펌프소스로 LBO crystal을 이용하여, 532nm의 레이저를 발생하는 장치입니다.


구성및성능
1. Wavelength : 532nm (CW laser)
2. Output Power : 10W
3. Warm up time : 10분 미만
4. Beam Divergence : 0.5 mrad미만
5. Beam waist diameter : 2.25mm±10%
6. Beam quality : 1.1미만
7. Power Stability : ±1%
8. Noise : 0.02% rms 미만
9. Power consumption : 700W
10. Ambient Temperature
Operating : 섭씨 10 to 40 도
Non-operating : 섭씨 -10 to 60 도
11. Relative humidity : 5 to 95 %
12. 구성 : 레이저 헤드, Benchtop controller, 케이블


활용분야
Ti : Sapphire laser 구성

 

취득일자 :

2012-03-28

 

 

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